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本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第...
该专利属于广东中科半导体微纳制造技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东中科半导体微纳制造技术研究院授权不得商用。

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