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本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿...
该专利属于吉光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉光半导体科技有限公司授权不得商用。

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