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本发明的第一方面提供了第一方法。第一方法包括步骤：（１）用高强度等离子体将处理室预处理；（２）将衬底装入所述处理室；和（３）在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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