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提供了去除基片的斜面边缘附近的蚀刻副产物、介电膜和金属膜，以及基片背部和室内部上的蚀刻副产物的改进的机构，以避免聚合物副产物和沉积膜的聚积，并提高处理成品率。提供了一种示例性的配置为清洁基片的斜面边缘的等离子蚀刻处理室。该室包括围绕该等离子...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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