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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，该形成方法包括提供衬底，衬底上形成有介质层；在介质层中形成开口，在开口内形成具有混合取向的铜籽晶层，并利用混合取向的铜籽晶层形成具有择优取向的铜籽晶层；在择优取向的铜籽晶层上形成填充开口的铜孪晶层，以在...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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