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本发明公开一种带有终端结构的GaN基射频器件及其制作方法，该射频器件包括：衬底、以及依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；沿垂直于衬底所在平面的方向，势垒层包括远离沟道层的第一表面，源电极与漏电极相对设置于第一表面的两侧，栅电极...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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