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本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法，该方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层；刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离；在氮化物势垒层形成的源电极区域和漏电极区域上...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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