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本发明提供了一种窄台面绝缘栅双极型晶体管器件及形成方法，器件包括：半导体衬底；形成于半导体衬底正面并沿水平方向间隔排列的栅极沟槽结构和发射极沟槽结构；其在排列方向上各自成对设置，且在排列方向上相互交叠；形成于成对的发射极沟槽结构之间的阱区；...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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