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本申请公开了一种终端结构及半导体器件，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽包括第一深度区、第二深度区和第三深度区；第一深度区填充介电材料，介电材料中插入第一电极，第二深度区设...
该专利属于珠海市浩辰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海市浩辰半导体有限公司授权不得商用。

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