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光刻多余图形的检测方法技术
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文档序号:31381159
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本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种光刻多余图形的检测方法,包括:步骤1:光刻机在涂布有光刻胶的硅片上曝光管芯区域,设定硅片上的光刻版曝光区域为完整的管芯区域;控制光刻机工作台使硅片沿X方向和Y方向歩进M次,每次步进距离为N;其中,步进次...
该专利属于无锡职业技术学院所有,仅供学习研究参考,未经过无锡职业技术学院授权不得商用。
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