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本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构，所述石墨过滤结构上...该专利属于新疆天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新疆天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达半导体有限公司授权不得商用。