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本发明公开了基于自对准技术的VCSEL芯片柱面刻蚀方法及其应用。该VCSEL芯片柱面刻蚀方法包括：在衬底上逐层形成N接触层、NDBR层、有源层、氧化层、PDBR层和P接触层，P接触层上形成有金属圆环；对金属圆环外缘外的区域进行刻蚀，以便在金...
该专利属于华芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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