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本发明提供的一种SiC衬底水导激光打标方法，通过控制水射流激光加工技术中的水射流水柱直径以及水射流激光喷头的行进速度、水射流喷头的行进轨迹对抛光后的SiC晶片进行快速一次成型打标，避免了剧烈热效应，热影响区小。本发明具有低热效应、热影响区小...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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