一种SiC衬底水导激光打标方法技术

本发明专利技术提供的一种SiC衬底水导激光打标方法，通过控制水射流激光加工技术中的水射流水柱直径以及水射流激光喷头的行进速度、水射流喷头的行进轨迹对抛光后的SiC晶片进行快速一次成型打标，避免了剧烈热效应，热影响区小。本发明专利技术具有低热效应、热影响区小优点，实用于刻印热效应敏感的材料。印热效应敏感的材料。印热效应敏感的材料。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC衬底水导激光打标方法


[0001]本专利技术属于晶体材料加工
，具体涉及一种SiC衬底水导激光 打标方法。

技术介绍

[0002]SiC作为一种典型的硬脆材料，莫氏硬度为9.2～9.5仅次于金刚石，使 得其加工制造过程十分困难。SiC晶片的制造过程可分成切割
→
粗研
→
细研
ꢀ→
抛光
→
打标
→
清洗几个阶段。
[0003]目前最先进的SiC衬底打标模式是激光打标。激光打标技术是指将高能 量密度的激光光束在计算机的控制下对产品进行局部照射，使得产品表面 瞬间熔化或者汽化，从而留下永久性标记的一种打标方法。激光作用于产 品时会产生剧烈的热效应，从而在产品刻印周围产生热影响区。热效应是 激光作用于材料最常见的现象，还有一种有害情况是当激光功率达到一定 程度会在产品上空激发等离子体，等离子体继续吸收激光能量后急剧膨胀 并对产品表面产生压力和剧烈的热效应，严重时会产生裂纹和碎片现象。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC衬底水导激光打标方法，其特征在于，包括：获取抛光后的SiC晶片；设置所需刻蚀的字母以及图标、激光微水射流加工技术中的激光能量、水射流水柱直径以及水射流激光喷头的行进速度；将字母以及图标图形化为激光微水射流加工技术中水射流激光喷头的行进轨迹；将所述抛光后的SiC晶片载入加工平台，并使用激光微水射流加工技术按照设置的激光能量、水射流水柱直径、水射流激光喷头的行进轨迹以及行进速度，在所述抛光后的SiC晶片上刻印标记。2.根据权利要求1所述的SiC衬底水导激光打标方法，其特征在于，在所述抛光后的SiC晶片上刻印标记之后，所述SiC衬底水导激光打标方法还包括：对刻印标记后的SiC晶片依次清洗，获得加工后的SIC晶片。3.根据权利要求1所述的SiC衬底水导激光打标方法，其特征在于，在所述抛光后的SiC晶片上刻印标记之前，所述SiC衬底水导激光打标方法还包括：根据所述行进速度以及所述行进轨迹，设置在所述抛光后的SiC晶片刻印的刻印时间。4.根据权利要求3所述的SiC衬底水导激光打标方法，其特征在于，将所述抛光后的SiC晶片载入加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁佳博，胡彦飞，郭辉，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：