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本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法，去除单层金属钌阻挡层，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层；氧化层刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀，去除钌氧化物层。本发明还提出去除硅片上金属互连的阻...
该专利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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