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本发明提供一种具有高散热性能的SOI晶圆及其制备方法，SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；体硅晶圆靠近埋氧层的一侧形成有预设深度的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定，高热导率材料为碳纳米管或二硫化钼。通过...
该专利属于微龛（广州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛（广州）半导体有限公司授权不得商用。

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