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本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的建模方法，所述建模方法包括：按照屏蔽栅沟槽MOSFET的器件结构，将所述器件结构划分为本征区、电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以及屏蔽栅下区域；分别对本征区、所述电子扩散区、屏蔽栅所在的JFET区以...
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