温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法，所述三维半导体装置包括第一堆叠结构、第一栅介电层、第一半导体层、第一沟道层、第一源极区与第一漏极区及第一可变电阻式随机存取存储器单元。第一堆叠结构位于衬底上，所述第一堆叠结构包括第一绝缘层与第一栅极...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。