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本发明揭示一种叠片电子元件的制造方法，包括：对由形成穿通孔１７ａ、１７ｂ）和内部电极（１１ａ、１１ｂ）后的绝缘材料组成的单元体层（１４ａ、１４ｂ），和由形成由导电材料组成的外电层（１５ａ、１５ｂ）和穿通孔１７ａ后的绝缘材料组成的伪层１６进行...
该专利属于太阳诱电株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过太阳诱电株式会社授权不得商用。

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