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本发明公开了一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法，包括以下步骤：1.氨硼烷在强碱激发下阴离子聚合；2.氯化铵取代钠离子制备低聚氨硼烷；3.低聚氨硼烷与三氯环硼氮烷共聚制备无碳氮化硼先驱体。本发明可实现氮化硼先驱体高陶瓷产率，简化BN...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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