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本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中盲孔内填充填充材料时容易产生空隙的问题。衬底上具有盲孔；形成覆盖盲孔的孔壁和孔底的阻挡层；在阻挡层上形成钝化层，钝化层的厚度沿孔口...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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