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本申请涉及晶体管领域，公开了一种无结型自耗尽晶体管及其制备方法，其中，所述器件包括衬底、外延层、与外延层掺杂类型相同的第一多晶硅层、与外延层掺杂类型相反的第二多晶硅层、源极层、第一金属层、第二金属层和绝缘材料；所述器件的制备方法包括：在衬底...
该专利属于深圳真茂佳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳真茂佳半导体有限公司授权不得商用。

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