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提供一种在高电流密度下的驱动中也没有元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备：活性层；形成于活性层的上方的电子阻挡层；形成于电子阻挡层的上方的AlGaN层；和覆盖AlGaN层的上表面的由AlGaN或GaN形成且Al组成比低于AlGa...
该专利属于旭化成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过旭化成株式会社授权不得商用。

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