氮化物半导体元件制造技术

提供一种在高电流密度下的驱动中也没有元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备：活性层；形成于活性层的上方的电子阻挡层；形成于电子阻挡层的上方的AlGaN层；和覆盖AlGaN层的上表面的由AlGaN或GaN形成且Al组成比低于AlGaN层的覆盖层，AlGaN层具有在与活性层处于相反侧的表面设置的突出部，第二氮化物半导体层覆盖突出部。AlGaN层优选由AlGaN形成且Al组成比沿着从活性层离开的方向而减少，突出部优选为锥台形状。突出部优选为锥台形状。突出部优选为锥台形状。

【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体元件


[0001]本公开涉及氮化物半导体元件。

技术介绍

[0002]氮化物半导体发光元件、例如发光二极管(LED)有时会为了高输出化而流通大电流、或者为了低成本化而使元件小型化。另外，例如激光二极管有时会为了增加电流密度而缩小电极面积。任一情况下，均需要能够耐受以更高电流密度驱动的元件。因此，例如提出了一种氮化物半导体发光元件，其具有由AlGaN形成的p型包层，所述p型包层的Al组成沿着厚度方向而减少(例如专利文献1)。专利文献1公开了：通过使p型AlGaN包层的Al组成产生组成倾斜，从而发生激光振荡的阈值电流密度和阈值电压降低。
[0003]另外，特别是对于紫外线激光二极管而言，为了实现波长小于380nm的紫外光下的激光振荡，需要以高于更长波长的氮化物半导体激光二极管的电流密度来驱动。尤其是对于300nm以下的激光元件，据报道已经实现的波长271.8nm的激光二极管需要25kA/cm2的高电流密度，波长298nm的激光二极管需要41kA/cm2的高电流密度，即，需要超过20kA/cm2的高电流密度。这是由于，高品质的Al本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体元件，其具备：活性层；形成于所述活性层的上方的电子阻挡层；形成于所述电子阻挡层的上方的AlGaN层；和覆盖所述AlGaN层的上表面且Al组成比低于所述AlGaN层的由AlGaN或GaN形成的覆盖层，所述AlGaN层具有在与所述活性层处于相反侧的表面设置的突出部，所述覆盖层覆盖所述突出部。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中，所述AlGaN层由AlGaN形成且Al组成比沿着从所述活性层离开的方向减少。3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其中，所述突出部为锥台形状。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，所述突出部为7nm以上的高度。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，所述覆盖层具有200nm以上且小于10μm的厚度。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，所述AlGaN层具有：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤恒辅，岩谷素显，
申请(专利权)人：旭化成株式会社，
类型：发明
国别省市：