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本实用新型公开了一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括主体，主体包括硅片衬底，所述硅片衬底上设置有敏感电阻层和绝缘层，硅片衬底上部还形成有多孔硅结构，硅片上设置有铝膜，主体底部装设有一半封装部，半封装部内腔中设置有阻尼释放结构，硅片衬...
该专利属于中化天康科技（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中化天康科技（南京）有限公司授权不得商用。

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