一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括主体，主体包括硅片衬底，所述硅片衬底上设置有敏感电阻层和绝缘层，硅片衬底上部还形成有多孔硅结构，硅片上设置有铝膜，主体底部装设有一半封装部，半封装部内腔中设置有阻尼释放结构，硅片衬底底部设置有与封装部连接的容纳部，容纳部设置有第一吸附层和第二吸附层，第一吸附层安装在硅片衬底底部的封装面上，第二吸附层安装在半封装部上，第一吸附层和第二吸附层上分别装设有第一贴合模和第二贴合模，第一贴合模和第二贴合模上设置有位置相对错开分布的容纳孔，主体与半封装部连接处还装设导热部和透气部，主体与半封装部之间通过叠块连接，使得主体具有很好的导热性能、透气性和缓冲性。透气性和缓冲性。透气性和缓冲性。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片


[0001]本技术涉及压力敏感芯片
，具体涉及一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片。

技术介绍

[0002]压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化，再由桥式电路获相应的电压输出信号。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器。例如,用于测量直升飞机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等。在飞机喷气发动机中心压力的测量中，使用专门设计的硅压力传感器,其工作温度达500℃以上。在生物医学方面,压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米,外径仅0.5毫米的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内和眼球内压力的传感器。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量枪炮膛内压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片,其特征在于,所述芯片包括主体（1），所述主体（1）包括硅片衬底（2），所述硅片衬底（2）上设置有敏感电阻层和绝缘层，所述硅片衬底（2）上部还形成有多孔硅结构，所述硅片衬底（2）上部设置有铝膜，主体（1）底部装设有一半封装部（3），半封装部（3）内腔中设置有阻尼缓冲结构（4），所述硅片衬底（2）底部设置有与半封装部（3）连接的容纳部（5），所述容纳部（5）设置有第一吸附层（6）和第二吸附层（7），所述第一吸附层（6）安装在硅片衬底（2）底部的封装面上，所述第二吸附层（7）安装在半封装部（3）上，所述第一吸附层（6）和第二吸附层（7）上分别装设有第一贴合模（8）和第二贴合模（9），所述第一贴合模（8）和第二贴合模（9）上设置有位置相对错开分布的容纳孔（10），所述主体（1）与半封装部（3）连接处还装设有导热部（11）和透气部（12），所述主体（1）与半封装部（3）之间通过叠块（13）连接。2.根据权利要求1所述的耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片,其特征在于,所述导热部（11）和透气部（12），所述导热部（11）含有一导热腔，所述导热腔中设置有导热膜（14），所述导热膜（14）与气流方向平行设置，所述透气部（12）等距离分布在导热部（11）之间。3.根据权利要求2所述的耐高温MEMS硅压阻式压...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国民，赵建兵，黄炜，田开芳，牛孟霄，
申请(专利权)人：中化天康科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：