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本发明涉及一种易轴取向的ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ系垂直磁记录薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。该方法包括：１）制备晶粒为面心立方结构的ＦｅＰｔ（Ｍ）或ＣｏＰｔ（Ｍ）薄膜，其中Ｍ为元素周期表中的Ｃ、Ｐ、Ｂ非金属元素之一或者熔点低于Ｆｅ元素熔点的...
该专利属于首都师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过首都师范大学授权不得商用。

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