一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种易轴取向的ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ系垂直磁记录薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。该方法包括：１）制备晶粒为面心立方结构的ＦｅＰｔ（Ｍ）或ＣｏＰｔ（Ｍ）薄膜，其中Ｍ为元素周期表中的Ｃ、Ｐ、Ｂ非金属元素之一或者熔点低于Ｆｅ元素熔点的Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇａ和Ｉｎ金属元素之一；２）将ＦｅＰｔ（Ｍ）或ＣｏＰｔ（Ｍ）薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。应用本发明专利技术能使薄膜中的铁磁性晶粒的易磁化轴垂直于膜面排列。本发明专利技术具有工艺简单、过程容易控制的优点，并且可以使用熔点相对较低的玻璃作为薄膜的基底材料，既可节约成本，还可以保证使用ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ系垂直磁记录薄膜过程中所要求的膜面光洁度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是利用激光快速热处理和磁场处理相结合制备FePt、CoPt系易轴垂直于膜面的垂直磁记录介质的方法，属于材料制备

技术介绍
自从1956年IBM制造出存储量为5MB、记录密度为2Kbit/in2的第一个硬盘驱动器以来，磁记录材料每个单元记录的字节数以每年20M的速度增长，最近几年增长速度达到了40M。2004年，磁记录介质的记录密度已达到200Gbit/in2。目前，科学工作者正在研制记录密度可达T bit/in2的新一代磁记录材料。作为未来高密度的磁记录材料需要有尺寸小且大小均匀的晶粒，颗粒之间的交换作用非常弱。但是通常颗粒尺寸的减小将会导致表面磁矩的热扰动，使磁记录材料的热稳定性变差，而那些具有大的磁晶各向异性能的材料如CoCr，FePt，CoPt等在晶粒尺寸很小的情况下仍具有较好的热稳定性，近几年作为磁记录介质的FePt、CoPt引起了人们极大的兴趣。传统制备FePt薄膜的方法主要为物理气相沉积法，随后又发展了分子束外延法。2000年Sun等人(Shouheng Sun et al.，Science，287(2000)1989)首次用化学自组装的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易轴取向的ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ系垂直磁记录薄膜的制备方法，包括如下步骤：１）制备晶粒为面心立方结构的ＦｅＰｔ（Ｍ）或ＣｏＰｔ（Ｍ）薄膜，其中Ｍ为元素周期表中的Ｃ、Ｐ、Ｂ非金属元素之一或者熔点低于Ｆｅ元素熔点的Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ 、Ｂｉ、Ｇａ和Ｉｎ金属元素之一；２）将ＦｅＰｔ（Ｍ）或ＣｏＰｔ（Ｍ）薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。

【技术特征摘要】
1.一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法，包括如下步骤1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜，其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一；2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。2.如权利要求1所述的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法，其特征在于FeP...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺淑莉，刘丽丽，彭印，王一红，
申请(专利权)人：首都师范大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]