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本发明涉及一种非Ｂｉ系低压ＺｎＯ压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。用ＺｎＯ加上从掺杂元素Ａｌ、Ｆｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、纳米ＺｎＯ中任选的氧化物粉组成混合原料，将其混...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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