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本发明提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法，其中，本发明的一个方面提供了一种波导耦合的雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，包括：底部硅材料层、中间二氧化硅填埋层和顶层硅；倍增层，覆盖于顶层硅上，倍增层上形成有电荷层；光吸收层，覆盖于...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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