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本发明公开了一种氮掺杂碳层包覆的氧化钴纳米片及其制备方法与储能应用，是首先通过溶剂热合成氧化钴纳米片前驱体，然后在氧化钴纳米片前驱体表面附载同时作为氮源和碳源的聚乙烯吡咯烷酮包覆层，最后在氩气氛围保护下进行高温煅烧，充分利用聚乙烯吡咯烷酮的...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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