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本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列。所述单光子雪崩二极管在有源区的边缘区域设有沿衬底厚度方向纵向延伸的p型掺杂区，并且，在p型掺杂区的远离隔离沟槽的一侧，还设有沿衬底厚度方向纵向延伸的n型掺杂区，p型掺杂区和n...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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