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一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关及其制备方法技术
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文档序号:30972139
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本发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关,括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪;所述宽带光源通过单模光纤...
该专利属于哈尔滨工程大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。
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