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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，衬底包括有效区和连接区；位于衬底连接区内的第一凹槽，在沿衬底第一面至第二面的方向上，第一凹槽包括第一区、第二区和第三区，第一区在衬底表面具有第一投影，第二区...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，衬底包括有效区和连接区；位于衬底连接区内的第一凹槽，在沿衬底第一面至第二面的方向上，第一凹槽包括第一区、第二区和第三区，第一区在衬底表面具有第一投影，第二区...