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本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽内壁上的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导电结...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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