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本发明提供一种低辐射漏电高压Double RESURF LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压Double RESURF LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧，即AB和AC截面，...
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