温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一非易失性半导体存储系统（或其它类型的存储系统）中，是通过改变存储单元的阈电压来编程存储单元。由于在所述系统中的不同存储单元的编程速度的变化，所以将存在某些存储单元过度编程的可能性。即，在一个实例中，将使阈电压移动超过预期值或值的范围。本...
该专利属于桑迪士克股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。