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根据本发明的一个方面的半导体存储器件包括ＤＲＡＭ单元，该ＤＲＡＭ单元包括一个晶体管和一个电容器，在该半导体存储器件中，第一电压和第二电压中的一个被施加于所述晶体管的栅极，其中，第一电压为被选择电压，第二电压为非被选择电压，所述第一电压和所述...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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