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本发明提供一种半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法，其可输出与在连续读出动作中进行了错误纠正的页相关的各种信息。本发明的NAND型的闪速存储器包括：存储单元阵列；连续读出部件，连续地读出存储单元阵列的页；错误检测纠正相关信息存储...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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