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本实用新型是一种以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件，所述静态存储元件包括一第一反相器、一第二反相器、一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管以及一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管；第一反相器有一耦接至一左位元节点的输入与一耦接至右位元节...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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