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一种半导体存储器件，包含一个主位线对（ＭＢＬ，／ＭＢＬ）、多个子位线对（ＳＢＬ，／ＳＢＬ）、多个选择晶体管对（Ｑｓ，／Ｑｓ）、多个字线（ＷＬ）、多个存储单元（ＭＣ）以及多个第一预充电电路（ＰＲＬ，Ｑｐ，／Ｑｐ）。各子位线沿主位线对排列成直线...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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