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非易失存储器及其编程方法技术
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文档序号:3087624
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一非易失存储单元包括有一浮动栅;一编程区域,具有到该浮动栅的第一电流通路,用来通过第一电流通路向该浮动栅提供电荷载流子或抽取在该浮动栅上所存贮的电荷载流子来进行编程;和一检验区域,具有一与第一电流通路分隔开的第二电流通路,用来在编程期间通过...
该专利属于LG半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过LG半导体株式会社授权不得商用。
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