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非易失半导体存储器制造技术
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下载非易失半导体存储器的技术资料
文档序号:3087613
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为了缩短初始化时间,本发明的闪速型非易失半导体存储器包括选择全部字线(WL1至WLm)的行译码器(2)、产生各种电压的字线电压发生器(3)、选择或不选择全部位线(DL1至DLn)的列译码器(4)。通过向选定的全部字线(WL1至WLm)提供正...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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