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一种高密度只读记忆体装置，其为一种具有增强推动能力选择闸的只读记忆体，主要于整个只读记忆体单元基体上盖一薄氧化层，该薄氧化层亦包括有一延伸区，其延伸至设置所述只读记忆体单元基体上下方的选择线，用以形成该具有增强推动能力的选择闸，其中部分不必...
该专利属于合泰半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合泰半导体股份有限公司授权不得商用。

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