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非易失性半导体存储器制造技术
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下载非易失性半导体存储器的技术资料
文档序号:3086962
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一种非易失性半导体存储器,能够缩短在读出电路中确定读电压需要的时间和提高数据读出速度。具有反馈型偏置电路,用于响应在存储单元的地址出现的第一定时信号,根据地址选择让电流从负载电路经位线译码器到将与位线和字线连接的存储单元,使预定偏置电流将提...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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