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本发明涉及由多个电阻性铁电存储器单元构成的存储装置，各存储单元均由一只选择晶体管（Ｔ）和一只存储电容器（Ｃｆｅｒｒｏ）构成，电容器的一个电极（ＰＬ）处于固定的单元极板电压（ＶＰＬＡＴＴＥ），而另一电极（ＳＮ）与选择晶体管（Ｔ）的具有第一导电...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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