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公开了一批测试电路（１０６，１０８，１１０，１１２），其能用来形成一个综合的机内测试系统用于ＭＲＡＭ阵列（１０２）。该测试电路的组合能够检测ＭＡＲＭ阵列的缺陷，包括：开路行（２０９），短路存储器单元（２１１），超越电阻技术规格的存储器单元，...
该专利属于惠普公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠普公司授权不得商用。

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