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本发明涉及一种用于一智能卡的半导体存储器芯片组件（２′），其中非易失性存储器芯片（ＥＥＰＲＯＭ）（４）和易失性存储器芯片（ＳＲＡＭ）（６）被叠层在相互的顶部并且通过垂直芯片互接（１６）相互直接耦合。该具有快速存取能力的易失性存储器能够快速执...
该专利属于德国捷德有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德国捷德有限公司授权不得商用。

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