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提供一种按照ＳＲＡＭ规格动作、进行通常的存取时不会受更新影响而延迟，可以比现有技术缩短存储周期的半导体存储装置。ＡＴＤ电路（４）接受到地址（Ａｄｄｒｅｓｓ）的变化，在地址时滞期间经过后，使地址变化检测信号（ＡＴＤ）输出单触发脉冲。有写入请求...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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