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以连续脉冲模式存取数据的与位置无关的半导体存储器件制造技术
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下载以连续脉冲模式存取数据的与位置无关的半导体存储器件的技术资料
文档序号:3085107
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本发明提供了一种半导体存储器件及其驱动方法与寻址方法,无论待存取数据的位置在哪,都可以连续脉冲模式存取数据。该半导体存储器件包括:第一存储体,包括对应于第一行地址的第一字线;以及第二存储体,包括对应于第二行地址的第二字线,其中该第二行地址与...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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